Moderne 1x-nm-Flashspeicher sind mittlerweile zum Standard geworden – 2x-nm-Dies kommen kaum noch zum Einsatz. Dadurch wird unter anderem eine Reduktion der Herstellungskosten erzielt (verglichen mit 25 oder 32 nm). Dies wird möglich, da durch den geringeren Platzbedarf der feineren Strukturen mehr Chips aus einem 300-mm-Silizium-Wafer gewonnen werden können und die Produktion insgesamt (kosten)effizienter abläuft. Dadurch entstehende preisliche Vorteile können die Hersteller mehr oder weniger direkt an den Endkunden weitergeben und für eine attraktive Preisgestaltung sorgen.
Nachteilig wirkt sich die Reduktion der Strukturbreite nämlich auf die Lebenserwartung der Speicherzellen aus, denn die maximal mögliche Anzahl von Schreib- und Löschzyklen (Program/Erase-Cycles, kurz PE-Cycles) sinkt. Das gilt gleichermaßen auch durch die Erhöhung der gespeicherten Informationen je Speicherzelle. Hierzu muss die in einer Zelle hinterlegte Ladungsmenge feiner dosiert und beim Auslesen auch genauer ausgewertet werden, um mehr als zwei Zustände unterscheiden und damit auch mehr als ein Bit je Speicherzelle speichern zu können. Gerade beim preislich umkämpften Einsteiger- bzw. Consumer-Bereich zählt jeder Cent in der Hersteller und macht TLC-Speicher fast unumgänglich.
TLC-Zellen (Triple-Level Cell) sind in der Lage bis zu drei Bit zu speichern, die durch acht unterschiedliche Schaltzustände abgebildet werden. Dadurch kann eine deutlich höhere Speicherdichte erreicht werden, was wiederum die Kosten für entsprechende Endprodukte sinken lässt. Durch die höhere Anzahl unterschiedlicher Spannungsniveaus (TLC: 2^3 = 8 / MLC: 2^2 = 4) sind diese Zelltypen aber auch anfälliger für die Abnutzung und letztlich den Ausfall. Deshalb sind im Zusammenhang von TLC-Speichertechnologien immer die Herstellerangaben bzgl. Haltbarkeit (TBW, Terabytes Written) und Garantiezeit essentiell. Bei den maximal möglichen P/E-Cycles von TLC-Zellen spricht man zur Zeit von etwa 3.000 (Angabe Micron), wobei MLC-Speicher bei rund 10.000 Zyklen liegt. TLC hat insbesondere im Bereich Performance deutliche Nachteile, denn die Latenzzeiten für das Programmieren und Löschen von Zellen sind deutlich höher als z. B. bei SLC-Flash. Noch relativ neu ist QLC-Flash, der sogar 16 Zustände je Speicherzelle unterscheiden kann, jedoch auf nur noch 1.000 PE-Zyklen kommt.
Verschiedene Multi-Level-Cell Technologien auf einen Blick (Bild: Micron).
Während in den vergangenen Jahren durchweg planare Speichertechnologien verwendet wurden, suchen die Speicherspezialisten immer weiter nach neuen Methoden um die Speicherkapazität bei gleicher Grundfläche weiter zu steigern. Ein Ergebnis dieser Entwicklungen ist der so genannte 3D-NAND, der klassischen 2D-Speicher praktisch am Markt schon abgelöst hat. Durch das Stapeln der Speicherzellen auf mehreren Ebenen bleibt die Grundfläche der Chips gleich, jedoch kann die Speichertiefe erhöht werden. Diese anspruchsvolle Technologie wird beispielsweise in Samsungs V-NAND umgesetzt. Toshiba setzt auf den eigenen BiCS3 Flash, der 64 Lagen an TLC-Speicherzellen stapelt und dadurch hohe Speicherkapazitäten pro Chip erzielen kann ‒ die vierte Generation setzt sogar 96 Lagen ein. In Konkurrenz dazu haben Intel und Micron zusätzlich die Speichertechnologie 3D XPoint entwickelt.
KIOXIAbietet die XG8 Client SSD, die primär für den OEM-Markt gedacht ist, in insgesamt vier verschiedenen Ausführungen an. Zusammen mit dem im Test befindlichen 1-TB-Modell, bietet der Hersteller alles in allem folgende Versionen an: 4 TB, 2 TB, 1 TB sowie 512 GB. Die Preise für die verschiedenen Modelle der XG8 SSD sind derzeit nicht genau zu beziffern, da es bislang nur das 1-TB-Modell in den Handel geschafft hat. Alle weiteren Varianten bleiben bislang exklusiv dem OEM-Bereich vorbehalten. Zusätzlich bietet KIOXIA die XG8 auch als SED-Version (Self-Encrypting Drive) an. Die Variante mit 1 TB kostet derzeit rund 140 Euro, was einen Preis pro Gigabyte von 14 Cent bedeutet.
Unterschiede gibt es auch innerhalb der technischen Eckdaten, wie die unten folgende Tabelle verdeutlicht. Das 4-TB-Modell ist als einziges der Familie beidseitig bestückt, alle weiteren Ausführungen kommen mit einer Bestückung auf der Oberseite aus. Die Angaben mit Kennzeichnung (?) sind vom Hersteller nicht bestätigt, aber wahrscheinlich richtig.
| Modell | Rand. 4K Read | Rand. 4K Write | Seq. Read | Seq. Write | Haltbarkeit |
| 4 TB | 900k IOPS | 620k IOPS | 7.000 MB/s | 5.800 MB/s | 2.400 TBW (?) |
| 2 TB | 1.200 TBW (?) | ||||
| 1 TB | 5.600 MB/s | 600 TBW | |||
| 512 GB | 750k IOPS | 600k IOPS | 5.000 MB/s | 300 TBW (?) |
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