Moderne 1x-nm-Flashspeicher sind mittlerweile zum Standard geworden – 2x-nm-Dies kommen kaum noch zum Einsatz. Dadurch wird unter anderem eine Reduktion der Herstellungskosten erzielt (verglichen mit 25 oder 32 nm). Dies wird möglich, da durch den geringeren Platzbedarf der feineren Strukturen mehr Chips aus einem 300-mm-Silizium-Wafer gewonnen werden können und die Produktion insgesamt (kosten)effizienter abläuft. Dadurch entstehende preisliche Vorteile können die Hersteller mehr oder weniger direkt an den Endkunden weitergeben und für eine attraktive Preisgestaltung sorgen.
Nachteilig wirkt sich die Reduktion der Strukturbreite nämlich auf die Lebenserwartung der Speicherzellen aus, denn die maximal mögliche Anzahl von Schreib- und Löschzyklen (Program/Erase-Cycles, kurz PE-Cycles) sinkt. Das gilt gleichermaßen auch durch die Erhöhung der gespeicherten Informationen je Speicherzelle. Hierzu muss die in einer Zelle hinterlegte Ladungsmenge feiner dosiert und beim Auslesen auch genauer ausgewertet werden, um mehr als zwei Zustände unterscheiden und damit auch mehr als ein Bit je Speicherzelle speichern zu können. Gerade beim preislich umkämpften Einsteiger- bzw. Consumer-Bereich zählt jeder Cent in der Hersteller und macht TLC-Speicher fast unumgänglich.
TLC-Zellen (Triple-Level Cell) sind in der Lage bis zu drei Bit zu speichern, die durch acht unterschiedliche Schaltzustände abgebildet werden. Dadurch kann eine deutlich höhere Speicherdichte erreicht werden, was wiederum die Kosten für entsprechende Endprodukte sinken lässt. Durch die höhere Anzahl unterschiedlicher Spannungsniveaus (TLC: 2^3 = 8 / MLC: 2^2 = 4) sind diese Zelltypen aber auch anfälliger für die Abnutzung und letztlich den Ausfall. Deshalb sind im Zusammenhang von TLC-Speichertechnologien immer die Herstellerangaben bzgl. Haltbarkeit (TBW, Terabytes Written) und Garantiezeit essentiell. Bei den maximal möglichen P/E-Cycles von TLC-Zellen spricht man zur Zeit von etwa 3.000 (Angabe Micron), wobei MLC-Speicher bei rund 10.000 Zyklen liegt. TLC hat insbesondere im Bereich Performance deutliche Nachteile, denn die Latenzzeiten für das Programmieren und Löschen von Zellen sind deutlich höher als z. B. bei SLC-Flash. Noch relativ neu ist QLC-Flash, der sogar 16 Zustände je Speicherzelle unterscheiden kann, jedoch auf nur noch 1.000 PE-Zyklen kommt.
Verschiedene Multi-Level-Cell Technologien auf einen Blick (Bild: Micron).
Während in den vergangenen Jahren durchweg planare Speichertechnologien verwendet wurden, suchen die Speicherspezialisten immer weiter nach neuen Methoden um die Speicherkapazität bei gleicher Grundfläche weiter zu steigern. Ein Ergebnis dieser Entwicklungen ist der so genannte 3D-NAND, der klassischen 2D-Speicher praktisch am Markt schon abgelöst hat. Durch das Stapeln der Speicherzellen auf mehreren Ebenen bleibt die Grundfläche der Chips gleich, jedoch kann die Speichertiefe erhöht werden. Diese anspruchsvolle Technologie wird beispielsweise in Samsungs V-NAND umgesetzt. Toshiba setzt auf den eigenen BiCS3 Flash, der 64 Lagen an TLC-Speicherzellen stapelt und dadurch hohe Speicherkapazitäten pro Chip erzielen kann ‒ die vierte Generation setzt sogar 96 Lagen ein. In Konkurrenz dazu haben Intel und Micron zusätzlich die Speichertechnologie 3D XPoint entwickelt.
TEAMGROUP bietet die MP44 SSD in insgesamt fünf unterschiedlichen Ausführungen an, wobei alle Modell mit einem Graphen-Label versehen sind und auf einen vormontierten Kühler verzichten. Seitens der Speicherkapazitäten stehen Ausführungen mit 512 GB, 1 TB, 2 TB, 4 TB und sogar satten 8 TB zur Verfügung. Die Preise erstrecken sich von ca. 45 Euro (512 GB) bis hin zu ca. 850 Euro (8 TB). Unser 1-TB-Testmuster wechselt ab etwa 65 Euro den Besitzer und bietet entsprechend einen Preis pro Gigabyte von knapp 7 Euro-Cent. Was den reinen Preis pro Gigabyte betrifft, ist das 2-TB-Modell mit einem Anschaffungspreis von ca. 105 Euro bzw. ca. 5 Euro-Cent besonders attraktiv.
Unterschiede gibt es auch innerhalb der technischen Eckdaten, wie die unten folgende Tabelle verdeutlicht. Besonders das kleinste Modelle der MP44-Familie fällt bei den sequentiellen Datenraten etwas deutlicher ab.
| Modell | Rand. 4K Read | Rand. 4K Write | Seq. Read | Seq. Write | Haltbarkeit |
| 8 TB | 650k IOPS | 590k IOPS | 7.200 MB/s | 6.000 MB/s | 6.000 TBW |
| 4 TB | 660k IOPS | 7.400 MB/s | 6.900 MB/s | 3.000 TBW | |
| 2 TB | 7.000 MB/s | 2.500 TBW | |||
| 1 TB | 650k IOPS | 6.500 MB/s | 1.450 TBW | ||
| 512 GB | 590k IOPS | 610k IOPS | 7.300 MB/s | 4.500 MB/s | 700 TBW |
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