Samsung gibt bekannt, dass sein Foundry Business, Samsung Foundry, 28 nm Low-Power (LP) Prozesstechnologie mit High-k Metal Gate (HKMG) qualifiziert hat. Darüber hinaus erweitert Samsung Foundry mit einer neuen Variante, 28 nm LPH HKMG Prozesstechnologie, seine Roadmap für Prozesstechnologie. Die Technologieplattform verbraucht im aktiven Betrieb sowie im Standby bei gleicher Frequenz 35 Prozent weniger Energie als 45 nm LP SoC-Designs oder bietet alternativ bei gleichem Leckstrom eine 30 Prozent höhere Leistungsfähigkeit.
Der neueste Prozess von Samsung Foundry wurde speziell für Mobilgeräte entwickelt, die mit über 2 GHz arbeiten können. Die 28 nm LPH-Prozesstechnologie verbraucht im aktiven Betrieb und bei gleicher Frequenz 60 Prozent weniger Energie als 45 nm LP SoC-Designs oder bietet alternativ eine 55 Prozent höhere Performance.
Im zurückliegenden Monat gab es wieder einige spannende Themen im Bereich Newsmeldungen sowie interessante Artikel und Produkttests. Folgend möchten wir...
Creative Technology hat mit der Sound Blaster AE-X eine neue interne High-End-Soundkarte für anspruchsvolle PC-Nutzer vorgestellt. Die PCIe-Lösung richtet sich...
Cooler Master und G.SKILL haben im Rahmen der Computex 2026 ihre Zusammenarbeit für die neue MasterDimm AC DDR5-Speicherserie angekündigt. Die...
Eine aktuelle YouGov-Studie mit mehr als 16.000 Teilnehmern in 14 europäischen Ländern zeigt ein deutliches Vertrauensgefälle zwischen europäischen und außereuropäischen...
Intel hat mit der Arc G-Series eine neue Prozessorfamilie für Gaming-Handhelds vorgestellt. Die neuen Intel Arc G3 und Arc G3...
Die Familie der IronWolf Pro Festplatten von Hersteller Seagate adressiert vor allem NAS-Systeme im Profi-Segment. Wir haben uns das aktuelle Flaggschiff der CMR-Plattform mit satten 32 TB im Praxistest zur Brust genommen.
Mit der FireCuda X Vault präsentiert Seagate eine neue externe Festplatte, die vollständig über USB-C versorgt wird und bis zu satte 20 TB bietet. LED-Beleuchtung und ein passendes Toolkit runden das Gesamtpaket ab.