NEWS / Infineon mit Durchbruch bei 70 nm DRAM-Zellen

15.12.2004 10:00 Uhr    Kommentare

Infineon stellte eine 70 nm Prozesstechnologie für künftige DRAM-Generationen basierend auf Deep-Trench (DT) Zellen und 300 mm Wafern auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2004 in San Francisco (13. bis 15 Dezember) vor. Etwa 25 Prozent der weltweiten DRAM-Produktion werden derzeit mit Trench-Technologien gefertigt. Infineon präsentierte in dem Vortrag das komplette Integrationsschema und die wesentlichen technischen Merkmale des neuen Verfahrens, das sich durch die erstmalige Nutzung eines High-k-Dielektrikums in einem Trench-basierten DRAM-Fertigungsprozess auszeichnet. Die Ergebnisse des 70 nm Programms von Infineon stellen einen technologischen Durchbruch auf dem Weg zu noch kleineren Strukturbreiten in der Trench-Technologie dar.

Infineon erwartet von diesem technologischen Fortschritt in der 70 nm Prozesstechnologie eine Steigerung der Produktivität seiner DRAM-Fertigung auf 300 mm Wafern und damit eine Erhöhung seiner DRAM-Produktion. Durch kleinere Prozessstrukturen wird die Chipfläche um etwa 30 Prozent reduziert und dadurch die Chip-Ausbeute pro Wafer gesteigert. Gemäß den neusten Prognosen des Marktforschungsunternehmens Gartner Dataquest wird die weltweite DRAM-Nachfrage bezogen auf die Speicherkapazität von 2003 bis 2008 mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate in Höhe von 51 Prozent steigen.

Die präsentierten Forschungsergebnisse beruhen auf der gemeinsamen Entwicklung der 90 nm und 70 nm DRAM-Fertigungstechnologien durch Infineon und Nanya im Rahmen der Infineon Nanya Trench Alliance (INTA) in Dresden. Die Forschungsergebnisse dieses Vortrags wurden zum Teil mit Unterstützung durch EPRE-Programme der Europäischen Gemeinschaft und durch Förderprogramme des Sächsischen Staates erzielt.

Quelle: E-Mail, Autor: Patrick von Brunn
Samsung Portable SSD T9 mit 2 TB im Test
Samsung Portable SSD T9 mit 2 TB im Test
Samsung Portable SSD T9 2 TB

Mit der Portable SSD T9 bietet Samsung den Nachfolger der beliebten T7-Familie an. Die Drives verwenden ein USB 3.2 Gen2x2 Interface und bieten entsprechend hohe Datenraten bis 2 GB/s. Mehr dazu im Test der 2 TB Version.

TEAMGROUP T-FORCE Z44A7 1 TB im Test
TEAMGROUP T-FORCE Z44A7 1 TB im Test
TEAMGROUP T-FORCE Z44A7

Mit der T-FORCE Z44A7 hat Hersteller TEAMGROUP eine neue Gen4-SSD auf den europäischen Markt gebracht. Wir haben uns das Modell mit 1 TB Speicherplatz in der Praxis ganz genau angesehen.

Western Digital WD My Passport 6 TB im Test
Western Digital WD My Passport 6 TB im Test
WD My Passport 6 TB

Mit der My Passport bietet Western Digital eine mobile externe Festplatte für den Alltag an, die obendrein auch Hardware-Verschlüsselung bietet. Wir haben uns das Exemplar mit 6 TB im Test angesehen.

SanDisk Desk Drive SSD 8 TB im Test
SanDisk Desk Drive SSD 8 TB im Test
SanDisk Desk Drive SSD 8 TB

Mit der Desk Drive Familie bietet SanDisk eine Komplettlösung für die Desktop-Datensicherung an. Die externen Speicher vereinen die Kapazität von HDDs mit der Geschwindigkeit von SSDs. Mehr dazu in unserem Test.